資深評論員批劉德音傲慢 達人反嗆「完全狀況外」 台積電2優勢「中芯加華為還是輸」
資深評論員批劉德音傲慢 達人反嗆「完全狀況外」 台積電2優勢「中芯加華為還是輸」
資料來源: https://wantrich.chinatimes.com/news/20240606900220-420101
台積電股東會上,被問到是否會被華為超車,董事長劉德音霸氣回應「不太可能」,遭資深主筆黃國樑發文批評「見識淺薄」,並稱台積電比華為「矮上好幾截」,貼文被大量轉發。不少部落客也發文評論此事,統整達人觀點,台積電的成功來自於供應鏈神隊友的加持以及卓越得製程技術,劉德音的說法是一種眾志成城的自信,又怎麼可能被一家華為追上?
劉德音在股東會上回答是否會被華為超車的問題,他霸氣表示(原音),「我想我們台積電把每一位競爭對手都非常serious的考慮,我們永遠會有競爭對手,華為不華為其實沒什麼關係,我們公司今天是領先,但現在著重的是,我們進步的速度,是不是比其他競爭對手進步的速度更快,這才是我們競爭的方法,至於什麼時候被趕上,我想CC(台積電總裁魏哲家)也不用回答了,不太可能啦」。
不過,一席話遭黃國樑批評,「這是一種將現狀當成永恆的大腦病症,人類很容易犯下這個認知上的毛病,以為眼下的一切都是恆定的,可以持續到遙遠的未來」;他先以Intel為例,說當時Intel CEO大概也會說要超越Intel根本不可能,但如今已經快看不到台積電車尾燈;他認為,台積電看華為不應和當年Intel看台積電依樣,他批評,對於華為在面對美國聯合盟友共同打壓下只用3年就重回巔峰,劉德音竟像「盲劍客」一樣完全看不到,「此種見識真是令人掉下眼珠子!」
此外,華為在沒有EUV光刻機的情況下生存下來並立志自己造出EUV,台積電完全沒有遭遇這種極限施壓,一種生死存亡等級的封鎖絞殺的經驗,光憑這一點,「台積電就已經比華為要矮上好幾截」,更別說華為是通訊領域的先鋒與王者,並且同時在萬物互聯的作業系統、高端手機、智能駕駛、晶片設計等多個領域都是領先者;最後,他再次批評劉德音「見識淺薄」、「器小」、「提前離開台積電,也是合適的歸宿」。
貼文曝光在臉書上點燃評論之火,財經部落客「邏輯投資」表示,劉德音的說法其實是一種「眾志成城的自信」,如果聽過台積電上下游供應鏈的法說會,就會知道台積電的成功很大一部分來自供應鏈夥伴的共同努力與研發投入,可以想像「少林寺」有十八般武藝,華為可能是樣樣精通,但台積電則是每一種武藝都有不同的「掃地僧」在加持,有這群神隊友,台積電又怎麼可能被「一個」華為追上呢?
另外,財經部落客Emmy也在粉專「Emmy追劇時間」直言,「這種貼文真的就是完全狀況外」;她表示,華為加中芯現在做的7奈米就是抄襲台積電2017年發明的DUV重複曝光法,在沒有EUV的情況下,台積電也能做出7奈米;華為加中芯組合現在用的方法,就是台積電率先做出來的這種multiple-patterning,台積在沒有極限施壓的情況下,就已經幫你們開好路想好方法了;此外,中芯7奈米效能其實只等於台積電的10奈米,即使沒收調台積電EUV,兩邊都用同樣的DUV來做,中芯加華為的組合還是輸。
她也提到,去年去年華為+中芯組合爆出七奈米的消息,她就已經講過這些,並且推測中芯財務會非常慘,結果就真的非常慘;當時很多人在那邊說不可輕敵,華為7奈米強大,邊講邊嚇得屁滾尿流;她認為知識就是力量,因為一路買台積電,而中芯國際從25港幣掉到17元。
心得:
不要小看小偷實力(挖牆腳/偷人才)
善用優勢(護城河)繼續向前才是王道(商場如逆水行舟,不進則退)
分析一個搶書經營權失敗的肉腳的談話,一點意義都沒有
3 thoughts on “資深評論員批劉德音傲慢 達人反嗆「完全狀況外」 台積電2優勢「中芯加華為還是輸」”
林毅夫稱3年掌握光刻技術之期已到 央視 : 葉輝老師傅「手磨」5奈米晶片出台
https://tw.news.yahoo.com/%E6%9E%97%E6%AF%85%E5%A4%AB%E7%A8%B13%E5%B9%B4%E6%8E%8C%E6%8F%A1%E5%85%89%E5%88%BB%E6%8A%80%E8%A1%93%E4%B9%8B%E6%9C%9F%E5%B7%B2%E5%88%B0-%E5%A4%AE%E8%A6%96-%E8%91%89%E8%BC%9D%E8%80%81%E5%B8%AB%E5%82%85-%E6%89%8B%E7%A3%A8-5%E5%A5%88%E7%B1%B3%E6%99%B6%E7%89%87%E5%87%BA%E5%8F%B0-094511318.html
中國向來喜歡聲稱,身為大國的自己無論在哪個領域,都佔據領先地位,就算落後他國之後也定能追上,甚至成功反超。不過有網友近期翻出中國過去的報導,發現中國至今仍未掌握光刻機技術。
X(前推特)帳號「多倫多方臉」今(18)日發文表示,中國官媒《環球時報》 2021 年 5 月 29 日曾發出一篇名為「不賣中國光刻機,大概 3 年後中國就能掌握」的報導。該文指出,現任中國全國政協經濟委員會付主任林毅夫在中國企業未來發展論壇上表示,荷蘭半導體製造商 ASML 執行長擔憂,若如果不把光刻機賣給中國,大概 3 年後中國就能自己掌握該技術。不過如今 3 年已過去,中國仍未掌握該技術。
X(前推特)帳號「清絲老師談治國理政」說,央視軍事也發布名為「遙遙領先!這項技術遠超國外頂尖水平」的影片。該影片聲稱,中國航天特級技師葉輝憑借巧手,實現了某型裝備零件基準量塊的 5 奈米高精密研磨。
央視強調,影片中所說的 5 奈米,指的並不是手搓晶片的奈米意思。葉輝口中的 5 奈米是指零件的表面粗糙度,晶片的 5 奈米則是指晶片晶圓集成電路刻線實際的寬度。
雖然央視有特別解釋,但仍遭到許多網友調侃。網友紛紛說:「這絕對是我這一生中聽過最好笑的笑話。」、「一本正經說幹話,厲害。」、「說謊至少打一下草稿。」、「這影片是把老百姓的智商按在地上摩擦,一直摩擦到 5 奈米。」
陸自製DUV大突破 可生產8奈米晶片…將衝破美國圍堵?
https://tw.news.yahoo.com/%E9%99%B8%E8%87%AA%E8%A3%BDduv%E5%A4%A7%E7%AA%81%E7%A0%B4-%E5%8F%AF%E7%94%9F%E7%94%A28%E5%A5%88%E7%B1%B3%E6%99%B6%E7%89%87-%E5%B0%87%E8%A1%9D%E7%A0%B4%E7%BE%8E%E5%9C%8B%E5%9C%8D%E5%A0%B5-223824000.html
大陸工信部公布一項通知顯示,大陸已取得技術突破,研發出深紫外光曝光機(DUV),可生產8奈米及以下晶片,目前正在推廣應用。
中美近年掀起科技戰,美國積極防止大陸取得先進晶片製造設備,但圍堵的成效不佳,有消息顯示大陸已在相關技術取得重要突破,引起科技圈關注。
大陸工信部官網9日公布「首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)」通知,下發地方要求加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同。工信部稱,重大技術裝備是國之重器,事關綜合國力和國家安全。「首台(套)重大技術裝備」是指國內實現重大技術突破、擁有智慧財產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品,包括整機設備、核心系統和關鍵零組件等。
這份目錄顯示,在積體電路生產裝備,其中一項是「氟化氬光刻機」(DUV曝光機),核心技術指標為:「晶圓直徑300mm,照明波長248nm,分辨率≦65nm,套刻≦8nm」。
這也代表,這台大陸國產DUV曝光機可生產8奈米及以下晶片。至於大陸國產DUV曝光機的(製造)良率則未提到。
大陸科技媒體「科學科技說」轉發上述內容稱,大陸自己的DUV曝光機終於來了,雖與晶片製造設備龍頭艾司摩爾(ASML)曝光機存在幾代差距,至少已填補空白,可控可用,期待之後能研發出更先進的極紫外光曝光機(EUV)。
從工信部的消息看,這次突破主要集中在28奈米。這一節點在半導體製造上具有舉足輕重地位,是許多晶片的基礎過程。這項突破的意義不僅在於技術層面的進步,更在於它為大陸帶來策略上的主動權。
這意味著在未來面對外在挑戰時,大陸將能夠更從容地應對並保持自身的獨立性和自主性。
美國本月初才宣布收緊製造先進半導體設備所需機器的出口管制,荷蘭政府隔天跟進,路透報導,ASML的1970i和1980i深紫外光曝光機(DUV)輸出大陸會受到影響,兩款機型大約是ASML所屬DUV產品線的中階位置。有分析指,大陸若實現國產8奈米及以下製程DUV,未來絕大多數晶片製造將不用受制於ASML。
此外,日經中文網上月底報導,日本半導體調查企業TechanaLye社長清水洋治表示,儘管良率上仍存有差異,但是大陸晶片的技術實力,目前僅落後台積電(2330)三年的水準。
他是在比較台積電2021年量產的5奈米「KIRIN 9000」及2024年中芯國際量產的7奈米「KIRIN 9010」後作出這項結論。
清水洋治並在分析華為智慧型手機後稱,到目前為止,美國政府的管制只是略微減慢了中方的技術創新,但卻推動了大陸半導體產業的自主生產。
大陸製DUV生產65奈米晶片硬扯8奈米 遭中外媒體打臉?
https://udn.com/news/story/7333/8233652
大陸工信部9月初公布的「首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)」的通知中,列出全新自製DUV曝光機,分辨率為≤65nm,套刻精度≤8nm,讓許多大陸民眾樂翻,高喊大陸突破美國封鎖,「可生產8奈米晶片」。
沒想到卻慘遭中外媒體打臉,認為此款新的DUV曝光機僅能生產65奈米或以下晶片,有人看到「套刻≤ 8nm」就認為這是8奈米曝光機,令人啼笑皆非。
大陸科技媒體「芯智訊」報導,根據大陸工信部公布的資料顯示,「積體電路生產裝備」項目列出氟化氪曝光機和氟化氬曝光機,氟化氪曝光機就是老式的248奈米光源的KrF曝光機,分辨率為≤110nm,套刻精度≤25nm;氟化氬曝光機則是193奈米光源的ArF曝光機(DUV曝光機),但揭露的這款仍是乾式DUV曝光機,而非更先進的浸沒式DUV曝光機(也稱為ArFi曝光機)。
從工信部揭露的參數來看,此DUV曝光機解析度為≤65nm,套刻精度≤8nm。雖然相比之前上微的SSA600曝光機有所提升(解析度為90nm),仍並未達到可以生產28奈米晶片的程度,更達不到製造什麼8奈米、7奈米晶片的程度,許多網友直接把套刻精度跟曝光製程節點水平搞混。
報導指出,65nm的分辨率,代表能夠達到的製程節點大概就是「65奈米」左右。有人一看到「套刻≤ 8nm」就認為是8奈米曝光機,令人啼笑皆非。
套刻精度則指的是每一層曝光層之間的對準精度。眾所周知,晶片的製造過程,是將很多層的曝光圖案一層一層的實現,並堆疊而成。一層圖案曝光完成後,需要再在上面繼續進行下一層圖案的曝光,而兩層之間需要精準對準,這個對準的精度就是套刻精度,並不是指能夠製造的晶片的工藝製程節點。
科技媒體「WccfTech」則認為,大陸新公布國產DUV曝光機至少落後美國15年,因為荷蘭半導體設備巨擘 ASML 的客戶,至少在 2009 年就可以透過ArF 曝光機生產晶片。